掺杂

1、SumanL.JainCSIR印度石油学院

2、a.    不同A位掺杂离子对CsPbX3光学带隙的影响规律

3、图不同In3+掺杂量的In-g-C3N4光催化剂的(a)产氢催化速率曲线，(b)固体-紫外漫反射吸收光谱，(c)稳态表面光电压谱；(d)随In3+掺杂量In-g-C3N4光催化剂光电压最大响应值与可见光催化产氢速率趋势变化对比；(e)不同In3+掺杂量的In-g-C3N4光催化剂的周期光电流响应和(f)光电流密度变化与光催化产氢速率趋势变化对比。

4、c.    CsPbBr3和FA掺杂CsPbBr3的薄膜照片

5、化学是自然科学的一种，在分子、原子层次上研究物质的组成、性质、结构与变化规律；创造新物质的科学。

6、要点 研究人员以偏钒酸铵(NH4VO3)和偏钨酸铵为原料，用草酸盐法合成了0-40mol%钨取代氧化钒催化剂。原子分辨率HAADF-STEM图像显示，晶格中的钒原子被钨原子取代，当过量钨的掺杂量达到40mol%时，发现了相邻的和簇状的钨物种。XRD测试还表明，当摩尔比大于5mol%时，催化剂中出现了WO3相。

7、化学是重要的基础科学之是一门以实验为基础的学科，在与物理学、生物学、地理学、天文学等学科的相互渗透中，得到了迅速的发展，也推动了其他学科和技术的发展。例如，核酸化学的研究成果使今天的生物学从细胞水平提高到分子水平，建立了分子生物学。

8、选中所有线段，将线宽改为合适的值，线条颜色改为灰色，使用ThreeD插件的“圆棍”功能将其转为圆棍。

9、在石墨烯等二维材料中，它们能带的特征是电子态密度存在发散的点——称为VanHove奇点。如此多的状态集合，增强了多体相互作用的影响，并支撑物质集体态的形成。但是，具体是哪一种集体态是不确定的，因为在VanHove奇点，磁性和超导电性(以及其他有序相)之间存在着微妙的竞争，而“赢家”取决于能带的精细形状。这种类型的竞争，可能有助于解释高温超导体和魔角双层石墨烯中观察到的超导电性。在非常规超导体的VanHove场景中，人们认为电子之间的排斥相互作用会引起涨落——例如导致自旋波——这反过来又会引起吸引相互作用。这些吸引成分可以促进库珀对的形成，从而促进产生超导电性。测试这种情况，是将石墨烯掺杂到高水平的主要动机之一。

10、DOI:1038/s41467-020-20867-w(掺杂)。

11、本文系网易新闻·网易号“各有态度”特色内容

12、关于掺杂石墨烯的新实验，令这种二维材料超越了“VanHove奇点”，进入到可能会存在奇异物质态的区域。

13、a.    CsPbBr3和FA掺杂CsPbBr3QLED的电流密度和亮度曲线

14、b.   典型缺陷容忍的钙钛矿能带结构示意图

15、MaartenRoeffaers比利时鲁汶天主教大学

16、d.   CsPbBr3和Sr掺杂CsPbI3QLED的EQE曲线

17、掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同，本征半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施体原子会在靠近导带的地方产生一个新的能阶，而受体原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。假设掺杂硼原子进入硅，则因为硼的能阶到硅的价带之间仅有0.045电子伏特，远小于硅本身的能隙12电子伏特，所以在室温下就可以使掺杂到硅里的硼原子完全解离化。

18、npj:先进热电材料的探寻—又是机器学习!

19、npj:聚蒽转化为石墨烯纳米带—环脱氢过程模拟

20、d.   单电子、单空穴的电流密度-电压曲线

21、CO2甲烷化是CO2回收利用、可再生氢气储存和运输以及实施沼气发电技术的一种重要而有前途的工艺。

22、DaltonTrans.,2019,48,5083–50

23、d.   Bi掺杂的CsPbBr3的发光光谱

24、c.    基于DFT的第一性原理计算的Mn掺杂CsPbBr3的三维晶体结构示意图

25、c.    CsPbI3和Ag掺杂CsPbI3QLED的EQE-电流密度曲线

26、近日，日本东京都立大学ToruMurayama报道了研究了钨取代氧化钒的低温NH3-SCR催化活性及其在干、湿条件下的反应机理。

27、ACSCatal.,2016,6,2462−24

28、要点 原位傅里叶变换红外光谱和程序升温表面反应结果表明，Ru/Ce0.9Cr0.1Ox和Ru/CeO2催化剂上的CO2甲烷化反应均遵循甲酸盐和CO*途径，低温下以前者为主。CO2与表面羟基相互作用生成吸附的碳酸氢盐，然后碳酸氢盐进一步转化为甲酸盐，最后生成CH4*。Cr3+掺杂增加了表面氧空位和羟基的数量，从而增加了碳酸氢盐和甲酸盐的数量。因此，Cr掺杂强烈促进了甲酸盐途径，大大提高了Ru/Ce0.9Cr0.1Ox催化剂的低温低温CO2甲烷化催化活性。

29、DavidFarrusseng法国国家科学研究中心里昂催化环境研究所

30、NanoRes.,2018,11,2295–230

31、半导体的常用掺杂技术主要有两种，即高温(热)扩散和离子注入。掺入的杂质主要有两类：第一类是提供载流子的受主杂质或施主杂质(如Si中的B、P、As)；第二类是产生复合中心的重金属杂质(如Si中的Au)。

32、选中组合，在iSlide插件选项卡左侧找到“设计排版”，在下拉菜单中点击“矩阵布局”，设置需要的行数和列数，调整横向间距，调整纵向间距到恰当值。

33、Designoftwo-dimensionalcarbon-nitridestructuresbytuningthenitrogenconcentration 

34、a.    α相和δ相的FAPbI3晶体结构和晶面间距

35、近日，南京理工大学的宋继中教授和曾海波教授课题组梳理并总结了不同元素掺杂的LHP量子点的晶体结构、光学性质、电学性质以及相关QLED性能的演变。根据掺杂位点的不同，该文详细阐述了A位，B位和X位的掺杂离子对LHP晶体结构、光学带隙、发光行为、载流子动力学以及QLED性能的影响；总结了掺杂在钙钛矿领域的最新研究进展和遇到的瓶颈，并展望了掺杂LHP纳米晶材料的进一步应用前景。

36、氮掺杂石墨烯中的氮浓度普遍很低，除利用特殊的芳香烃分子合成的氮原子周期性分布的碳氮二维材料以外，目前报道的氮掺杂石墨烯中氮原子的掺杂浓度不高于20%，这使得NG中载流子浓度的调控受到很大限制。

37、性质不同：复合材料是两种或两种以上材料混合而成的材料，共混材料是两种或两种以上材料混合发生反应后而成的材料。前者是物理现象，后者是化学现象。

38、c.    A位或X位离子钝化钙钛矿表面缺陷的示意图

39、非铅双钙钛矿纳米晶有望解决铅基钙钛矿纳米晶的毒性和不稳定性。近年来，科研人员主要关注于其宽波段白光发射，对其他特定颜色的荧光发射研究的比较少。掺杂策略可以有效改善卤素钙钛矿纳米晶的光学性质和稳定性。就锰离子掺杂体系来说，虽然掺杂剂发光是科研人员感兴趣的方面，但常常伴随着与其产生竞争关系的带边发射或自陷态发射。而且，锰掺杂非铅双钙钛矿纳米晶的尺寸效应及动力学机理需要进一步深入研究。

40、XianglanXu,FacileCr3+-DopingStrategyDramaticallyPromotingRu/CeO2forLow-TemperatureCO2Methanation:UnravelingtheRolesofSurfaceOxygenVacanciesandHydroxylGroups,ACSCatal.2021

41、要点 使用operandoIR和UV-Vis测量分别研究了0W–V(不含钨的V2O5)，5W–V(最佳活性催化剂)和40W–V(过量钨)的反应机理。研究发现，钒中心起氧化还原位点的作用，钨中心起到吸附氨的酸性位点的作用。钨的高覆盖率尽管增加了酸性位点的数量，同时减少了氧化还原位点的数量，因此，随着钨含量的增加，催化活性降低。

42、自掺杂是说由于热蒸发或者化学反应的副产物对衬底的腐蚀，使衬底中的硅和杂质进入气相，改变了气相中的掺杂成分和浓度，从而导致了外延层中的杂质实际分布偏离理想情况，这种现象称为自掺杂效应。　　

43、近日，南昌大学XiangWang，XianglanXu报道了Cr/Ce摩尔比为1：9的Ru/CeO2催化剂载体中的Cr离子掺杂显著提高了催化剂的低温CO2甲烷化活性，150℃时Ru/Ce0.9Cr0.1Ox催化剂的周转频率是Ru/CeO2催化剂的3倍。

44、e.    不同卤素掺杂比例的CsPbX3量子点胶体溶液和对应的光谱

45、《物理》在淘宝店和微店上线，扫码即可购买过刊和现刊。

46、b．钙钛矿中不同A位离子的容忍因子与不同B位离子的八面体因子

47、碱金属元素和碱土金属元素由于具有很强的给电子能力也被用于掺杂优化g-C3N4基光催化剂催化活性。Li和Na由于其较小的原子半径和较弱的金属性，掺杂位置仍为平面的N孔内。6,7其他的掺杂的碱金属和碱土金属元素，如K、Rb、Cs和Sr等与g-C3N4之间由于强离子偶极相互作用，掺杂位置位于g-C3N4层间，掺杂的碱金属和碱土金属失去的电子与g-C3N4上下两层之间均存在电子云的重叠，形成层间电荷传输通道，提高催化剂光生电荷分离和迁移效率。同时由于掺杂金属失去的电子完全离域，影响体系的态密度，改变催化剂的带结构，表现为导带边位置下移，带隙宽度减小，可见光响应波长范围增加。8-10

48、e.    Mn掺杂的CsPbCl3的发光光谱

49、DOI:1021/acscatal.0c05468

50、掺杂混合在一起：把黄土、石灰、沙土掺和起来铺在小路上。 参加进去(多指搅乱、添麻烦)：这事你少掺和。人家正忙着呢，别在这里瞎掺和。

51、c.    钙钛矿三色光的CIE坐标和标准NTSC的对比

52、选中所有圆形，将线条改为无线条，填充设为灰色，使用ThreeD插件的“球体”按钮将其转变为球体。

53、半导体的常用掺杂技术主要有两种，即高温(热)扩散和离子注入。掺入的杂质主要有两类：第一类是提供载流子的受主杂质或施主杂质(如Si中的B、P、As)；第二类是产生复合中心的重金属杂质(如Si中的Au)。

54、e.    不同卤素比例掺杂的CsPbX3光学带隙分布图

55、目前已报道的掺杂g-C3N4的金属元素主要包括过渡金属元素、稀土金属元素、碱金属元素及碱土金属元素等。通过简单的单分子前驱体和金属无机盐高温共缩合，可制备获得金属掺杂的g-C3N4基光催化剂。过渡金属元素和稀土金属元素掺杂的g-C3N4光催化剂，带隙宽度减小，吸收带边红移，由于掺杂的过渡金属和稀土金属离子与g-C3N4之间强配位作用，存在金属-配体电荷转移过程，可见光吸收部分有明显的拖尾，吸收系数依赖于掺杂量：随掺杂浓度增加，吸收带边逐渐红移，并且可见光吸收强度不断增加。此外金属-配体电荷转移过程能够促进光生电荷载流子的分离和迁移(图3)。3-5

56、GregoryWelch加拿大卡尔加里大学

57、在新实验中，Rosenzweig和同事们通过镱(Ytterbium)插层来研究掺杂石墨烯单层。为了从电子能带结构的角度分析掺杂的结果，他们使用了角分辨光电子能谱(ARPES)，其动量分辨率高，工作于低温20K。实验观察到，镱和石墨烯之间的电荷转移导致石墨烯的能带被填满，将费米能级从狄拉克点移动到VanHove点。光电子能谱数据还表明，石墨烯的导带被强烈地扭成了一个平坦的带，延伸到宽范围的晶体动量空间。此外，费米能级被钉在VanHove点上，产生了一个扩展的VanHove奇点。

58、HendrikHeinz美国科罗拉多大学博尔德分校

59、d.   DFT计算的涵盖了自旋轨道的CsPbI3和Mn掺杂CsPbI3的态密度

60、组合所有对象，再ThreeD中点击“俯仰”按钮切换为俯视图，得到三维石墨烯片。

61、石墨烯以其独特的电子特性而闻名，例如狄拉克点，在材料能带结构中的这个点，电子行为类似于高能粒子。一个载荷电子通过狄拉克样式的石墨烯，就会像一个粒子，几乎不与它的许多同类相互作用。现在，PhilippRosenzweig和他来自德国马克斯·普朗克固体研究所的同事们，在石墨烯中添加了过量的电荷载流子，将载流子的能量从上述狄拉克点移动到范霍夫(VanHove)点，甚至更高。据报道，这是第一次。

62、a.    不同Cs和FA比例的钙钛矿发光光谱图

63、https://doi.org/1038/s41467-020-20867-w